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  我国光刻机起步不算晚，上世纪五十年代国家就把半导体技能列为要点。1956年，中科院物理所搞出第一个晶体三极管，标志着我国进入这样的范畴。那时候，世界上也刚起步，我国跟得上节奏。科研团队用高纯资料试验，测验稳定性，很快就用于核算设备。两年后，1958年又整出锗晶体管，优化掺杂工艺，进步耐用性。这么多东西直接支撑国防核算需求，我国技能水平在全球前列，没啥显着距离。

  六十年代初，经济压力大，但工程师没停下。1962年，他们研制硅平面晶体管，需求化学蚀刻硅片外表画电路。团队试各种酸性溶液，操控温度防缺点，保证精度。1965年，中科院微电子所和上海电子仪器厂协作，推出65型触摸式光刻机。设备用光源曝光光敏层，转图画到硅片。工程师校准对准体系，减曝光差错。比美国1961年产品晚四年，我国还算先进队伍。

  前期开展靠国家会集资源。团队从根底资料抓起，逐渐把握晶体管出产链。1956到1965年，试验室协作，同享数据，推进迭代。我国半导体在信息化初期有微弱气势。工程师手动调光刻进程，65型机器处理微米图画，满意需求。世界上美国同期探究，我国距离五年内，表现自主才能。

  半导体规划针对久远需求，特别是核算使用。1956年规划后，安排快速组队，收购设备开工。晶体管出世后，立刻测验可靠性。六十年代硅平面技能要高精度蚀刻，团队选配方，1962年产品用于集成电路测验。我国光刻雏形构成，奠基工业。

  光刻机研制光学机械结合。1965年类型触摸曝光，工程师规划固定装置，掩膜硅片紧贴。测验重复曝光样品，剖析清晰度，逐渐改。成果得益资源支撑。科研人员战胜资料缺少，进口元件补试验。从晶体管到光刻机，我国稳步前，位居前列。

  七十年代后期，我国光刻继续推。1974年1445所开端研制，到1977年成功GK-3型半自动光刻机。设备进步精度，适用于圆片出产。那时世界竞争加重，美国1978年推出DSW4800步进光刻机，小区域集成电路，售价高。国内团队投资金，但进展慢，功能难匹配。

  经过攻关，1985年我国完结第一台分步光刻机，规范挨近美国产品。这时荷兰ASML刚1984年建立，台积电1987年起步。我国有时机继续投入，坚持优势。但八十年代方针变，着重经济建设，撤销高科技项目。光刻研制资金不足，无法保持。

  西方产品涌入，价格低，企业倾向进口，构成“造不如买”理念。民营厂家算本钱，自产设备价高精度低，选收购国外机寻求功率。科研安排资源限，项目停，人才转范畴。进口依靠深，技能距离现。

  “造不如买”短期省钱，但疏忽危险。八十年代末，企业很多用进口光刻，国内线依靠外部。技能更新跟不上，距离拉大。九十年代观念深化，参加世贸后进口规划扩，半导体企业优先西方设备。缺少立异动力，工业阻滞。

  方针调整资金流变。八十年代高精尖下马，包含国防研制。光刻团队散，设备闲。西方蜜月期，企业享廉价进口，疏忽封闭。民营鼓起，赢利导向，进口常态。自产虽根底，但保护高，竞争力弱。迭代中止，世界对手加快。

  “造不如买”影响链条。半导体厂家依靠进口，规划限。九十年代ASML积专利，我国落后加重。交易敞开，企业收购无警觉。进口简化出产，但中心外流危险增。结构歪斜，自主边缘化。

  八十年代末，方针导向“造不如买，买不如租”。企业弃研制，引进线亿买设备。科研经费断，人才流失，工厂转行。光刻这边，本乡研讨陷阻滞。对外敞开后，直接买发达国家制品，功能好价格低，比苦研实惠。

  这思路害我国半导体。前期光刻跟得上，60年代触摸式，80年代步进。但抛弃后，世界腾跃，我国卡住。ASML从1984年起，专心IC前道光刻，40年营收巨。2001年推Twinscan双工件台，进步功率35%，精度进步。我国那时已落后。

  2007年，上海微电子打破365nm DUV，用于90nm芯片。2016年SSX600系列步进扫描。但比ASML晚多。ASML1988年向我国交给首台步进，自耕30年，支撑职业。但技能独占，我国本乡率低。

  2019到2024，我国全球光刻商场占比极低。荷兰占79%，日本17%。2023年ASML营收276亿欧元，我国大陆成大客户，前三季收购52.8亿欧元设备。但高端EUV禁售，2023年1月美日荷共同，制止出口EUV和DUV。我国外交部指损世界次序。

  高盛2025年9月陈述，我国光刻停65nm，落后世界20年。5nm以下需EUV，埃米级要更先进。我国本乡技能瓶颈，限制高端芯片。ASML CEO说我国落后10-15年，无极紫外设备。本源“造不如买”，短视害深。

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